| 项目 | 规格 | 检测方法 |
| 生长方式 | 直拉法 | -- |
| 结晶性 | 单晶 | -- |
| 导电类型 | P型 | P/N型测试仪 |
| 尺寸 |
M10：182.2*182.2*φ247mm G12： 210*210*φ295mm |
硅片自动检测设备 |
| 厚度 |
M10：150±10µm
140±10µm G12：150±10µm |
硅片自动检测设备 |
| 项目 | 规格 | 检测方法 |
| 电阻率 | 0.4-1.1 Ω.cm | 硅片自动检测设备 |
| 少子寿命 | ≥70μs | 准稳态光电导衰减法/瞬态光电导衰减法 注入水平：1E15 cm⁻³（Sinton BCT-400） |
| 氧含量 | ≤7.5E+17 at/cm³ | 傅里叶变换红外光谱仪 |
| 碳含量 | ≤ 5E+16 at/cm³ | 傅里叶变换红外光谱仪 |
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